本站消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“避免误开启的SiCMOSFET器件”，专利申请号为CN202421517837.9，授权日为2025年5月2日。

专利摘要：避免误开启的SiC MOSFET器件，涉及半导体技术领域。在SiC MOSFET器件内部的栅极Gate Pad区通过淀积介质层以在内部串联一介质电阻层，从而提高器件内部的栅极电阻，但由于栅极电阻会增加器件的开关损耗，因此过大的栅极电阻也会影响器件使用。而本实用新型的介质电阻层可以通过调节厚度来改变电阻值，从而可根据实际设计需求来改变厚度，从而削弱振荡能量，避免器件发生误开启。

今年以来扬杰科技新获得专利授权37个，较去年同期增加了23.33%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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